H01L 29 - Info Page

H01L 29/00 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы вообще H01C; конденсаторы вообще H01G) [2,6]

Примечание :

В этой основной группе приборы классифицируются в рубриках H01L 29/02-H01L 29/51 и в H01L 29/66-H01L 29/96 в той мере, в какой эти рубрики соответствуют им [2].

полупроводниковые подложки [2]

отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (с дефектом кристаллической решетки H01L 29/30) [2]

отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [2]

с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2]

с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2]

отличающиеся материалами, из которых они образованы [2]

структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например множественные потенциальные квантовые ямы, сверхрешетки (такие структуры, применяемые для управления светом G02F 1/017, такие структуры, применяемые в полупроводниковых лазерах H01S 5/34) [6]

Примечание :

Рубрика H01L 29/15 имеет преимущество перед рубриками H01L 29/16-H01L 29/26 [6].

содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде [2]

содержащие несколько элементов, предусмотренных в H01L 29/16 [2]

в разных полупроводниковых областях [2]

отличающиеся легирующими материалами [2]

только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей [2]

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа A_IIIB_V [2,6]

включая два или более соединения [2]

в разных полупроводниковых областях [2]

отличающиеся легирующими материалами [2]

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа A_IIB_VI [2]

включая два или более соединения [2]

в разных полупроводниковых областях [2]

отличающиеся легирующими материалами [2]

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в H01L 29/16,H01L 29/18,H01L 29/20, H01L 29/22 (содержащие органические материалы H01L 51/00)

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в H01L 29/16,H01L 29/18,H01L 29/20,H01L 29/22 и H01L 29/24 [2]

в разных полупроводниковых областях [2]

отличающиеся физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность [2]

с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки [2]

с дефектами структуры на поверхности полупроводниковой подложки [2]

отличающиеся концентрацией или распределением примесей [2]

отличающиеся комбинацией особенностей, предусмотренных в двух или более рубриках H01L 29/04, H01L 29/06,H01L 29/12,H01L 29/30 и H01L 29/36[2]

электроды

отличающиеся формой, соответственными размерами или расположением [6]

пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6]

не пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6]

отличающиеся материалами, из которых они сформированы [6]

электроды с омическим сопротивлением [6]

электроды с барьером Шотки [6]

электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник) [6]

диэлектрические материалы, относящиеся к электродам [6]

типы полупроводниковых приборов [2]

управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток (H01L 29/96 имеет преимущество) [2]

биполярные приборы [2]

приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы [2]

биполярные плоскостные транзисторы [5]

вертикальные транзисторы [6]

горизонтальные транзисторы [6]

гетеротранзисторы [6]

управляемые полевым эффектом [6]

приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией [2]

с выключением приборов по управляющему электроду [6]

с выключением с помощью полевого эффекта [6]

двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры) [2]

с выключением с помощью полевого эффекта [6]

униполярные приборы [2]

приборы с переносом заряда [6]

приборы с зарядовой связью [6]

с полевым эффектом, обеспечиваемым изолирующим затвором [6]

полевые транзисторы [6]

с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор [6]

с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов) [6]

с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора [2]

тонкопленочные транзисторы [6]

с плавающим затвором [5]

с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор [5]

с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n-перехода или другого выпрямляющего перехода [2]

с затвором в виде p-n-перехода [5]

с затвором типа барьера Шотки [5]

управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору (H01L 29/96 имеет преимущество) [2,6]

управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления (H01L 29/96 имеет преимущество) [2,6]

управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток (H01L 29/96 имеет преимущество) [2]

плоскостные резисторы с p-n-переходом [6]

точечные диоды [6]

инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды [6]

диоды Зеннера [6]

p-i-n диоды [6]

диодные тиристоры, например диоды Шохлея, обращенные диоды [6]

диоды Шотки [6]

туннельные диоды [2]

туннельные диоды Есаки [6]

конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером [2]

диоды с регулируемой емкостью, например варакторы [2]

конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой [2]

типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик H01L 29/68,H01L 29/82,H01L 29/84 или H01L 29/86 [2]